Materiali di evaporazione di nitruro di alluminio

Materiali di evaporazione di nitruro di alluminio

Goodwill Metal Tech produce materiali per l'evaporazione del nitruro di alluminio. Il nostro prodotto è costantemente buono in termini di qualità e purezza. Facciamo anche obiettivi drogati su richiesta del cliente.

I dettagli del prodotto

Materiali di evaporazione di nitruro di alluminio

Nitruro di alluminio (AlN)

Obiettivi di spruzzatura del nitruro di alluminio

Purezza --- 99%, 99,9%

Forma --- dischi, piastra, passo (diametro ≤480mm, spessore ≥1mm)

Rettangolo, Foglio, Passo (Lunghezza ≤400mm, Larghezza ≤200mm, Spessore ≥1mm)

Tubo (diametro <300 mm,="" spessore=""> 2 mm)

Applicazione - sensori di onde acustiche di superficie (SAW), filtro RF, risonatore acustico di massa di film ...

Substrato ceramico al nitruro di alluminio (AlN Ceramic)

Purezza - 99,9%

Forma: dischi, rettangoli, gradini, piastre, fogli, aste, su misura

Dimensione - Diametro (≤480mm), Lunghezza (≤400mm), Larghezza (≤300mm), Spessore (≥1mm), Su misura

Applicazione -

Polvere di nitruro di alluminio - AlN

Purezza - 99,9%

Forma - polvere

Dimensione - dimensione base per le tue esigenze

Applicazione - materia prima ..

Polvere di nanometri di nitruro di alluminio

Purezza --- 99% Contenuto di ossigeno --- <0,8wt% si="" dissociativo%="">

Colore --- offwhite Fase cristallografica --- Esagonale

Dimensione media delle particelle (D50) --- <50>

Superficie specifica ---> 78m2 / g

Densità apparente --- 0,12 g / cm3

Metodo di fabbricazione --- Vapore ad arco al plasma

Applicazione --- Nano nitruro di alluminio primario utilizzato in sottrarre circuito integrato, dispositivi elettronici, dispositivi ottici, dispositivi di emissione termica, crogioli utilizzati ad alte temperature, preparazione di compositi di matrici metalliche e matrici polimeriche, in particolare, nei leganti per tenuta ad alta temperatura ed elettronici materiali di incapsulamento, Nano-ALN sarà sostanzialmente applicato in futuro.

Negozio --- Dovrebbe essere la conservazione delle stanze fresche e asciutte senza luce solare. Il prodotto non può essere in grande compressione. Nel processo di utilizzo delle polveri Nano-ALN, al fine di evitare l'aggregazione della polvere causata dall'assorbimento dell'umidità e quindi dagli effetti dell'applicazione, la polvere Nano-ALN non può essere esposta all'aria.

Preferenza di nitruro di alluminio

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I dispositivi di nitruro di alluminio hanno elevata durezza, alto modulo, proprietà dielettriche molto elevate, buona proprietà di ossidazione e bassa efficienza di espansione termica, che è approssimativa a quella del silicio. Quando i poteri AlN vengono utilizzati per realizzare materiali compositi, la compatibilità con l'interfaccia è buona. Può migliorare le proprietà meccaniche, la conduttanza termica e le proprietà dielettriche dei materiali compositi.

Il nitruro di alluminio (AlN) è un nitruro di alluminio. La sua fase wurtzite (w-AlN) è un materiale semiconduttore a gap di banda largo (6,01-6,05 eV a temperatura ambiente), che le consente potenziali applicazioni per l'optoelettronica ultravioletta profonda.
AlN fu sintetizzato per la prima volta nel 1877, ma fu solo a metà degli anni '80 che il suo potenziale di applicazione nella microelettronica fu realizzato grazie alla sua conduttività termica relativamente elevata per una ceramica elettricamente isolante (70-210 W · m-1 · K- 1 per materiale policristallino e alto come 285 W · m-1 · K-1 per cristalli singoli).

Il nitruro di alluminio (AlN) è un materiale ceramico unico che combina un'elevata conduttività termica con un'elevata resistività elettrica. Solo poche ceramiche possiedono un'elevata conducibilità termica: l'ossido di berillio (BeO) e il nitruro di boro cubico (c-BN) sono praticamente gli unici altri esempi. Tuttavia, l'uso di BeO è limitato a causa della sua tossicità e c-BN è molto difficile da produrre.
"Conduttività termica" è la capacità di un materiale di trasportare calore quando sottoposto a un gradiente di temperatura. Nei dielettrici come AlN, il calore viene trasferito attraverso vibrazioni a reticolo (noto anche come "fononi"). I materiali con struttura semplice, legame covalente e bassa massa atomica generalmente possiedono un'elevata conduttività termica.
La conducibilità termica effettiva di un materiale è influenzata da fattori che ostacolano la propagazione del phonon. La temperatura, le impurità, la dimensione e la distribuzione dei pori, la granulometria, l'omogeneità e l'orientamento della composizione influiscono sulle vibrazioni del reticolo e quindi sulla conducibilità termica.
La conducibilità termica teorica di AlN è di circa 280 Wm-1K-1. La conducibilità termica effettiva dipende dalle condizioni di lavorazione e dalla purezza della materia prima. La presenza di impurità di ossigeno nel reticolo è un grave danno; quando l'ossigeno sposta l'azoto nel reticolo crea posti vacanti che interrompono la propagazione del fonone e disperdono i fononi, riducendo la conduttività termica.

Stabilità e proprietà chimiche
Il nitruro di alluminio è stabile alle alte temperature in atmosfere inerti e fonde a 2800 ° C. Nel vuoto, AlN si decompone a ~ 1800 ° C. Nell'aria, l'ossidazione superficiale si verifica sopra i 700 ° C, e anche a temperatura ambiente sono stati rilevati strati superficiali di ossido di 5-10 nm. Questo strato di ossido protegge il materiale fino a 1370 ° C. Sopra questa temperatura si verifica l'ossidazione in massa. Il nitruro di alluminio è stabile in atmosfere di idrogeno e di anidride carbonica fino a 980 ° C.

Il materiale si dissolve lentamente negli acidi minerali attraverso l'attacco al contorno del grano e in forti alcali attraverso l'attacco ai granuli di nitruro di alluminio. Il materiale si idrolizza lentamente nell'acqua. Il nitruro di alluminio è resistente all'attacco della maggior parte dei sali fusi, inclusi cloruri e criolite.

Produzione
AlN è sintetizzato dalla riduzione carbotermica dell'ossido di alluminio in presenza di azoto gassoso o ammoniaca o dalla nitrurazione diretta dell'alluminio. L'uso di ausili per la sinterizzazione, come Y2O3 o CaO, e la pressatura a caldo è necessario per produrre un materiale tecnico denso.

applicazioni
Il nitruro di alluminio cristallino a film sottile sviluppato epitassialmente viene utilizzato per sensori di onde acustiche di superficie (SAW) depositati su wafer di silicio a causa delle proprietà piezoelettriche di AlN. Un'applicazione è un filtro RF che è ampiamente utilizzato nei telefoni cellulari, che è chiamato un risonatore acustico bulk film sottile (FBAR). Questo è un dispositivo MEMS che utilizza nitruro di alluminio inserito tra due strati di metallo.

Il nitruro di alluminio viene anche utilizzato per costruire trasduttori ultrasonici micromacchinati piezoelettrici, che emettono e ricevono ultrasuoni e che possono essere utilizzati per il rilevamento della distanza in aria su distanze fino a un metro.

Sono disponibili metodi di metallizzazione per consentire l'utilizzo di AlN in applicazioni elettroniche simili a quelle dell'allumina e dell'ossido di berillio. I nanotubi di AlN come nanotubi quasi-unidimensionali inorganici, che sono isoelettronici con nanotubi di carbonio, sono stati suggeriti come sensori chimici per gas tossici.

Attualmente ci sono molte ricerche sullo sviluppo di diodi emettitori di luce per operare nell'ultravioletto usando semiconduttori a base di nitruro di gallio e, usando la lega di alluminio nitruro di gallio, sono state raggiunte lunghezze d'onda di soli 250 nm. Nel maggio 2006 è stata segnalata un'inefficiente emissione di LED AlN a 210 nm.

Ci sono anche molteplici sforzi di ricerca nell'industria e nel mondo accademico per usare il nitruro di alluminio nelle applicazioni MEMS piezoelettriche. Questi includono risuonatori, giroscopi e microfoni.

Tra le applicazioni di AlN ci sono l'optoelettronica, gli strati dielettrici nei supporti ottici di memorizzazione, i substrati elettronici, i trasportatori di chip dove l'alta conduttività termica è essenziale, le applicazioni militari, come un crogiolo per far crescere cristalli di arseniuro di gallio, acciaio e produzione di semiconduttori.

Informazioni di base

Nomi: nitruro di alluminio

Formula chimica: AlN
Numero CAS: 24304-00-5
CHBI CHEBI: 50884
ChemSpider: 81.668
Numero CE: 246-140-8
PubChem: 90455
Numero RTECS: BD1055000
Massa molare: 40,9882 g / mol
Aspetto: solido da bianco a giallo pallido
Densità: 3,260 g / cm3
Punto di fusione: 2.200 ° C (3.990 ° F, 2.470 K)
Punto di ebollizione: 2.517 ° C (4.563 ° F, 2.790 K)

Solubilità in acqua: reagisce (polvere), insolubile (monocristallino)
Solubilità: reagisce in etanolo
Banda di banda: 6,015 eV (diretta)
Mobilità elettronica ~ 300 cm2 / (V · s)
Conduttività termica: 285 W / (m · K)

Indice di rifrazione (nD): 1.9-2.2
Struttura di cristallo: Wurtzite
Gruppo spaziale: C6v4-P63mc
Geometria di coordinazione: tetraedrica
Capacità termica specifica (C): 30,1 J / mol K
Entropia molare std (So298): 20,2 J / mol K

Stdalpia di formazione std (ΔfHo298): 318 kJ / mol
Energia libera di Gibbs (ΔfG˚): 287,4 kJ / mol


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